Tillverkare Produktnummer:
SPB10N10L G
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPB10N10L G-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
13064298
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPB10N10L G Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
154mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 21µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
444 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SPB10N
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SPB10N10LGINCT
SPB10N10LG
SPB10N10LGINTR
SPB10N10LGINDKR
SPB10N10L G-ND
SPB10N10LGXT
SP000102169
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SPI80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
IRLZ24NSPBF
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
SPB18P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
